1 место за лучшую научную работу по физике за 2024 год заняли 

Фомин Игорь Владимирович, профессор кафедры ФН-4

Червон Сергей Викторович, профессор кафедры ФН-4 

за работу «Dynamical system analysis in modified Galileon cosmology», опубликованную в журнале «Classical and Quantum Gravity» (Q1, Scopus).

В работе проведено исследование космологической динамики в моделях с неминимальной связью скалярного поля и кручения, и нелинейным самодействием скалярного поля галилеонного типа.  На основе анализа критических точек автономной системы, которые соответствуют различным стадиям эволюции вселенной, и условий устойчивости, рассмотрены свойства предложенных космологических моделей для различных физических потенциалов скалярного поля. Получены масштабные решения, которые описывают стадии эволюции вселенной с преобладанием материи и темной энергии, и излучения и темной энергии. В масштабных решениях темная энергия вводится вместе с другими компонентами, такими как излучение или барионная материя, что позволяет объяснить переход между различными космологическими эпохами. Критические точки с преобладанием темной энергии демонстрируют устойчивое поведение и указывают на существование поздней стадии ускоренного расширения вселенной. Также было показано, что рассмотренные космологические модели хорошо соответствуют наблюдательным данным по зависимости значения параметра Хаббла от красного смещения H(z) и набору данных по сверхновым Ia, что позволяет рассматривать предложенные модели в качестве актуальных при описании как ранних стадий, так и современной стадии эволюции вселенной.

2 место

Тимченко Светлана Леонидовна, профессор кафедры ФН-4

Задорожный Николай Антонович, доцент кафедры ФН-4

Шарандин Евгений Анатольевич, доцент кафедры ФН-4

Скрабатун Александр Владимирович, доцент кафедры ФН-4

за работу «Optical Characteristics of a New Molecular Complex: “Nafion–Colloidal CdSe/CdS/ZnS Nanocrystals”» в журнале«Polymers» (Q1, Scopus).

В результате диффузии коллоидных нанокристаллов CdSe/CdS/ZnS на поверхность протонообменной мембраны Нафион был получен новый молекулярный комплекс «Нафион–коллоидные нанокристаллы CdSe/CdS/ZnS». Коллоидные нанокристаллы, размещенные в матрице Нафиона, представляют собой аналог люминесцентного преобразователя.  Данная система обладает специфическим спектром люминесценции и дополнительными линиями поглощения. 

Кинетика внедрения нанокристаллов в матрицу мембраны была исследована с использованием методов люминесцентного анализа и абсорбционной спектроскопии. Наличие новых центров люминесценции в мембране было независимо доказано методом лазерной эмиссионной спектроскопии. Дополнительный максимум люминесценции, наблюдаемый на длине волны 643 нм, не был зарегистрирован в исходной мембране, растворителе или в спектре нанокристаллов. Интенсивность спектра люминесценции мембраны с внедренными нанокристаллами превышает интенсивность пика вторичного излучения исходных нанокристаллов, что важно для практического использования комплекса «Нафион–коллоидные нанокристаллы» в оптических системах.

3 место

Куимов Евгений Владимирович, ассистент кафедры РЛ-6

Ветрова Наталия Алексеевна, доцент кафедры РЛ-6

Синякин Владимир Юрьевич, начальник сектора кафедры РЛ-6

Мешков Сергей Анатолиевич, профессор кафедры РЛ-6

Шашурин Василий Дмитриевич, заведующий кафедрой РЛ-6 

за работу «Resonant Tunneling Nanostructures: Eliminating Current Saturation on Negative Differential Conductivity Region in Compact Dissipative Simulations» в журнале «Nanomaterials» (Q1, Scopus).

Работа посвящена проблемам описания квантового переноса заряда в наоноразмерных двухбарьерных гетероструктурах в условиях отрицательной дифференциальной проводимости. Согласно современным преставлениям о переносе заряда через резонансно-туннельные структуры, когда напряжение, прикладываемое к структуре, превышает некий порог, резонансно-туннельная компонента силы тока через структуру должна быть равна нулю. Однако, модели, применяемые в схемотехнических симуляторах, предсказывают появление ненулевого «тока насыщения», что говорит о том, что эти модели недостаточно точно описывают физическую картину переноса заряда в резонансно-туннельных структурах. В работе показано, что причиной появления в моделях тока насыщения является асимптотическое поведение функций, аппроксимирующих зависимость коэффициента туннельной прозрачности от энергии электронов, поэтому естественным решением проблемы тока насыщения является выбор иного описания туннельной прозрачности. Выбор нужной формы, аппроксимирующей прозрачность функции, основан на связи между временем распада энергетических состояний внутри резонансно-туннельной структуры и прозрачности структуры. Валидация предложенной модели подтвердила ее адекватность результатам измерений вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов. Это делает разработанную компактную модель эффективной для моделирования работы широкого круга устройств с резонансным туннельным диодом в качестве нелинейного элемента независимо от положения рабочей точки.